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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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AlGaN Characterization LEDs Bending Electron holography Molecular beam epitaxy Silicon carbide GaN HEMT GaN InGaN ZnO Transistor Gallium nitride Coalescence Silicon Nanostructures Traps CRYSTALS MOCVD Atom probe tomography III-nitride semiconductors AlGaN/GaN Nitrides Graphene Caractérisation Chemical vapor deposition processes AlN Creep Doping Tunnel junction Defects Selective area growth Photoluminescence Transmission electron microscopy Semiconductors Microcavity Contraintes Zinc oxide Nanowire LPCVD Metalens Compressive stress Diodes électroluminescentes Excitons Bond order wave DLTFS Quantum dots 2D materials Gallium nitride GaN AlGaN/GaN HEMT Millimeter-wave power density Croissance Nitrures d'éléments III Chemical vapor deposition Aluminum nitride Optical properties Free-standing GaN Schottky barrier diode 6H-SiC High electron mobility transistor HEMT Normally-off Silica MBE Spectroscopy Semiconducteurs Silicium Holography III-N Nanoparticles Electrical properties and parameters Boron nitride Nitrure de gallium 3C–SiC High electron mobility transistor GaN-on-Si Group III-nitrides High electron mobility transistors Boîtes quantiques CVD Metasurface Molecular beam epitaxy MBE LED Light emitting diodes Microscopie électronique en transmission Diffraction Epitaxy Al III-nitrides Épitaxie par jets moléculaires Heterostructures Quantum wells HEMT Aluminum gallium nitride Strong coupling Épitaxie Cathodoluminescence Metasurfaces Bullseye antennas Dislocations Atomic force microscopy