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Communication dans un congrès
Negative differential resistance and non-volatile memory in hybrid redox organic/nanoparticle devices.
Tiantian Zhang
David Guérin
1
Stéphane Lenfant
1
Dominique Vuillaume
1
F. Alibart
1
Kamal Lmimouni
1
Ali Yassin
2
Maiténa Oçafrain
2
Jean Roncali
2
Philippe Blanchard
2
Tiantian Zhang
Auteur
David Guérin 1
Auteur IdHAL : david-guerin ORCID : https://orcid.org/0000-0002-4338-1742
Stéphane Lenfant 1
Auteur Etablissement employeur : Centre National de la Recherche Scientifique IdHAL : stephane-lenfant ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/F-5238-2012 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-6857-8752
Dominique Vuillaume 1
Auteur IdHAL : dominique-vuillaume ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/A-3828-2010 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-3362-1669
F. Alibart 1
Auteur IdHAL : fabien-alibart ORCID : https://orcid.org/0000-0002-9591-220X
Kamal Lmimouni 1
Auteur IdHAL : kamal-lmimouni
Ali Yassin 2
Auteur
Maiténa Oçafrain 2
Auteur
Jean Roncali 2
Auteur IdHAL : jean-roncali ORCID : https://orcid.org/0000-0002-3429-0355
Philippe Blanchard 2
Auteur IdHAL : philippeblanchard-hal ORCID : https://orcid.org/0000-0002-9408-8108
1
IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 ([Univ. Lille, CNRS, Ecole Centrale Lille, Yncréa-ISEN, UVHC] ––
Laboratoire Central – Cité Scientifique – Avenue Poincaré – CS 60069 – 59652 VILLENEUVE D’ASCQ CEDEX - France)
- Centrale Lille (École Centrale de Lille - Cité Scientifique - CS 20048 59651 Villeneuve d'Ascq Cedex - France)
- Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN) (France)
- UVHC - Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (Campus Mont Houy 59313 Valenciennes Cedex 9 - France)
- Université de Lille (Lille - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8520 (France)
- UPHF - Université Polytechnique Hauts-de-France (Campus Mont Houy 59313 Valenciennes Cedex 9 - France)
2
MOLTECH-Anjou (MOLTECH-Anjou UMR 6200 CNRS - Université d'Angers, Faculté des Sciences, 2 Boulevard Lavoisier, Bâtiments K et Db - 49045 Angers CEDEX 01 - France)
- INC - Institut de Chimie du CNRS (3 Rue Michel-Ange 75 016 Paris - France)
- UA - Université d'Angers : UMR6200 (Université d'Angers - 40 Rue de Rennes, BP 73532 - 49035 Angers CEDEX 01 - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6200 (France)
Type de document :
Communication dans un congrès
Domaine :
Liste complète des métadonnées
https://hal.univ-angers.fr/hal-02564030
Contributeur : Okina Univ Angers Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : mardi 5 mai 2020 - 17:03:33
Dernière modification le : mercredi 23 mars 2022 - 15:50:32
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Identifiants
- HAL Id : hal-02564030, version 1
- OKINA : ua10946
Collections
UNIV-ANGERS | UNIV-VALENCIENNES | INC-CNRS | UNIV-LILLE | CNRS | MOLTECH-ANJOU | IEMN
Citation
Tiantian Zhang, David Guérin, Stéphane Lenfant, Dominique Vuillaume, F. Alibart, et al.. Negative differential resistance and non-volatile memory in hybrid redox organic/nanoparticle devices.. EMRS Spring meeting Lille, 2015, Lille, France. ⟨hal-02564030⟩
Métriques
Consultations de la notice