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Optical and electrical properties of SiGe/Si solar cell heterostructures: Ellipsometric study

Abstract : SiGe thin films with different Ge fraction were obtained by Molecular Beam Epitaxy (MBE) on silicon (001) substrates. The SiGe thin films properties are obtained using Spectroscopic Ellipsometry (SE) in the frame of the New Amorphous model. This model demonstrates that depending on the Ge fraction high absorption coefficients of order 10 6 cm À1 were obtained. The solar cell performance of SiGe/Si hetero-structures was measured using a JASCO YQ-250BX system with light source of AM 1.5 solar simulator. The experimental results obtained (y ¼ 0.15, W a-Si: H ¼ 2 nm) yielded to an improvement of about 1.3 mA cm À2 for the short-circuit current density, and about 2.2% for the cell efficiency compared to the conventional cell i.e. without a-Si:H thin layer (FSF).
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https://hal.univ-angers.fr/hal-02885096
Contributeur : Regis Barille Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : jeudi 7 avril 2022 - 11:09:26
Dernière modification le : vendredi 8 avril 2022 - 03:33:05

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Citation

Emna Kadri, Olfa Messaoudi, Monem Krichen, Khaled Dhahri, Mohammed Rasheed, et al.. Optical and electrical properties of SiGe/Si solar cell heterostructures: Ellipsometric study. Journal of Alloys and Compounds, Elsevier, 2017, 721, pp.779-783. ⟨10.1016/j.jallcom.2017.06.025⟩. ⟨hal-02885096⟩

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