Mo 6 S 3 Br 6 : An Anisotropic 2D Superatomic Semiconductor

Xinjue Zhong; Kihong Lee; Daniele Meggiolaro; Avalon Dismukes; Bonnie Choi; Feifan Wang; Colin Nuckolls; Daniel Paley; Patrick Batail; Filippo de Angelis; Xavier Roy; Xiaoyang‐y. Zhu

doi:10.1002/adfm.201902951

Article Dans Une Revue Advanced Functional Materials Année : 2019

Mo 6 S 3 Br 6 : An Anisotropic 2D Superatomic Semiconductor

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Xinjue Zhong

Fonction : Auteur

Kihong Lee

Fonction : Auteur

Daniele Meggiolaro

Fonction : Auteur

Avalon Dismukes

Fonction : Auteur

Bonnie Choi

Fonction : Auteur

Feifan Wang

Fonction : Auteur

Colin Nuckolls

Fonction : Auteur

Department of Chemistry [New York]

Daniel Paley

Fonction : Auteur

Patrick Batail

Fonction : Auteur
PersonId : 992004

MOLTECH-Anjou

Filippo de Angelis

Fonction : Auteur

Computational Laboratory for Hybrid/Organic Photovoltaics

Xavier Roy

Fonction : Auteur
PersonId : 766082
ORCID : 0000-0002-8850-0725

Xiaoyang‐y. Zhu

Fonction : Auteur

Domaines

Chimie

Narcis Avarvari : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://univ-angers.hal.science/hal-02913918

Soumis le : lundi 10 août 2020-19:57:10

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Dates et versions

hal-02913918 , version 1 (10-08-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-02913918 , version 1
DOI : 10.1002/adfm.201902951

Citer

Xinjue Zhong, Kihong Lee, Daniele Meggiolaro, Avalon Dismukes, Bonnie Choi, et al.. Mo 6 S 3 Br 6 : An Anisotropic 2D Superatomic Semiconductor. Advanced Functional Materials, 2019, 29 (33), pp.1902951. ⟨10.1002/adfm.201902951⟩. ⟨hal-02913918⟩

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