Study of physical properties of some transparent oxides semiconductors obtained by thermal oxidation of metallic thin films - Université d'Angers Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2013

Study of physical properties of some transparent oxides semiconductors obtained by thermal oxidation of metallic thin films

Sorina Iftimie
  • Fonction : Auteur
Julien Merigeon
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 992600
Laboratoire de Photonique d'Angers
A. Radu
  • Fonction : Auteur
National Institute for Subatomic Physics [Amsterdam]
S. Antohe
  • Fonction : Auteur
Michael Kompitsas
  • Fonction : Auteur
Mihaela Girtan
Laboratoire de Photonique d'Angers
CV

Domaines

Physique [physics]

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https://univ-angers.hal.science/hal-03204082

Soumis le : mercredi 21 avril 2021-12:03:52

Dernière modification le : lundi 14 novembre 2022-02:50:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03204082 , version 1 (21-04-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03204082 , version 1
  • OKINA : ua5664

Citer

Sorina Iftimie, Julien Merigeon, A. Radu, S. Antohe, Michael Kompitsas, et al.. Study of physical properties of some transparent oxides semiconductors obtained by thermal oxidation of metallic thin films. Solar Energy for World Peace, 2013, Istanbul, Turkey. 2013. ⟨hal-03204082⟩

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