Arrêt de service programmé du vendredi 10 juin 16h jusqu’au lundi 13 juin 9h. Pour en savoir plus
Accéder directement au contenu Accéder directement à la navigation
Article dans une revue

XPS Study of the Band Alignment at the Interface ITO/CuI

Abstract :

The band alignment at the interface of an ITO/CuI heterojunction is studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The measurements have been performed on samples obtained under the same experimental conditions as those used to achieve organic photovoltaic cells. The CuI upper layer was 3 nm thick. The semidirect XPS technique used to measure the band offsets allows us to estimate the band discontinuities at the interface ITO/CuI: ΔEv = 2.10 eV and ΔEc = 1.56 eV. This band alignment induces an increase of the work function of the anode when the structure ITO/CuI is used as electrode in organic solar cells for instance. As a matter of fact, the measurement, by means of a Kelvin probe, of the work function of the structures ITO/CuI, shows that it is significantly higher than that of ITO alone: 5.2 eV and 4.8 eV.  

Type de document :
Article dans une revue
Domaine :
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-angers.fr/hal-03350374
Contributeur : Okina Univ Angers Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : mardi 21 septembre 2021 - 11:43:40
Dernière modification le : jeudi 9 décembre 2021 - 15:46:06
Archivage à long terme le : : mercredi 22 décembre 2021 - 18:48:36

Fichier

s2014010101-main.pdf
Accord explicite pour ce dépôt

Identifiants

  • HAL Id : hal-03350374, version 1
  • OKINA : ua12270

Citation

Christian Bernède, Linda Cattin, Padmanabhan Predeep. XPS Study of the Band Alignment at the Interface ITO/CuI. Technology Letters, 2014, 1 (1), pp.2-10. ⟨hal-03350374⟩

Partager

Métriques

Consultations de la notice

6

Téléchargements de fichiers

4